Mikrokontrolery

Mikrokontroler ATmega 48A/48PA udostępnia dwa bity blokujące (ang. Lock Bits), a ATmega88A/88PA/168A/168PA/328/328P udostępnia ich sześć. Można je pozostawić w stanie niezaprogramowanym ("1") lub można je zaprogramować ("0"), aby otrzymać dodatkowe własności wymienione w tabelce poniżej. Bity blokujące  można skasować do stanu "1" tylko przy pomocy rozkazu kasowania układu (ang. Chip Erase).

Mikrokontroler ATmega 48A/48PA nie posiada wydzielonej sekcji boot-loadera, a instrukcja SPM jest włączona dla całej pamięci FLASH, jeśli został zaprogramowany bit bezpiecznikowy SELFPRGEN ("0"). W przeciwnym razie instrukcja SPM jest wyłączona.

Bajt z bitami blokującymi⁽¹⁾

Tryby zabezpieczeń bitów blokujących⁽¹⁾⁽²⁾

Mikrokontroler ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P posiada trzy bajty bitów bezpiecznikowych. Poniższe tabele krótko opisują ich funkcje oraz ich położenia w tych bajtach. Zauważ, iż zaprogramowany bit bezpiecznikowy daje przy odczycie wartość zero, "0".

Rozszerzony bajt bitów bezpiecznikowych w ATmega48A/48PA

Rozszerzony bajt bitów bezpiecznikowych dla ATmega88A/88PA/168A/168PA

Dolny bajt bitów bezpiecznikowych

Stan bitów bezpiecznikowych nie jest zmieniany przez kasowanie układu (ang. Chip Erase). Zauważ, iż bity bezpiecznikowe są zablokowane, jeśli został zaprogramowany bit blokujący LB1. Zaprogramuj bity bezpiecznikowe przed zaprogramowaniem bitów blokujących.

Zapamiętywanie stanu bitów bezpiecznikowych

Wartości bitów bezpiecznikowych zostają zapamiętane, gdy mikrokontroler wchodzi w tryb programowania i zmiany ich wartości zaczną obowiązywać dopiero po wyjściu z trybu programowania . Nie odnosi się to do bitu bezpiecznikowego EESAVE, którego funkcja rozpoczyna działania zaraz po zaprogramowaniu. Bity bezpiecznikowe są również zapamiętywane przy uruchamianiu w trybie normalnym.

Wszystkie mikrokontrolery firmy Atmel posiadają 3-bajtowy kod sygnaturowy, który służy do identyfikacji mikrokontrolera. Kod ten można odczytać zarówno w trybie szeregowym jak i równoległym, także gdy mikrokontroler został zablokowany bitami blokującymi. Trzy bajty sygnatury przebywają w oddzielnej przestrzeni adresowej.

Dla ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P bajty sygnaturowe są następujące:

Mikrokontroler ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P posiada wartość bajtu kalibracyjnego dla wewnętrznego oscylatora RC. Bajt ten przechowywany jest w górnym bajcie słowa pod adresem 0x000 w przestrzeni adresowej sygnatur. Podczas resetu bajt kalibracyjny jest automatycznie ładowany do rejestru OSCCAL, aby zapewnić poprawną częstotliwość pracy kalibrowanego oscylatora RC.

Liczba słów na stronę i liczba stron w pamięci FLASH

Liczba słów na stronę i liczba stron w pamięci EEPROM

Rozdział ten opisuje, w jaki sposób programować równolegle i weryfikować pamięć programu FLASH, pamięć EEPROM, pamięć danych, bity blokujące pamięci i bity bezpiecznikowe w ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P. Zakłada się, o ile nie zaznaczono inaczej, iż impulsy mają długość co najmniej 250ns.

Nazwy sygnałów

W tym rozdziale niektóre końcówki mikrokontrolera ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P nazwane są wg nazw sygnałów opisujących ich funkcje podczas programowania równoległego. Do końcówek nieopisanych w poniższej tablicy odwołujemy się przez ich normalne nazwy.

Przydział nazw do końcówek

Końcówki XA1/XA0 określają wykonywane działania, gdy na końcówce XTAL1 pojawi się dodatni impuls. Kodowanie bitów przedstawia poniższa tabelka.

Kodowanie XA1 i XA0

Gdy impuls pojawia się na końcówce WR lub OE, załadowany rozkaz określa wykonywane działanie. Rozkazy są pokazane w tabelce poniżej.

Kodowanie bitów w bajcie rozkazu

Wejście w tryb programowania

Poniższy algorytm wprowadza mikrokontroler w tryb wysokonapięciowego programowania równoległego:

1. Ustaw końcówki Prog_enable w stan "0000", końcówkę RESET na 0V i VCC na 0V.
2. Przyłóż napięcie 4,5...5,5V pomiędzy VCC i GND.

Upewnij się, iż napięcie na końcówce VCC osiąga co najmniej 1,8V w ciągu następnych 20 μs.

1. Odczekaj 20 ... 60 μs i przyłóż napięcie 11,5 ... 12,5 V do końcówki RESET.
2. Utrzymuj w stanie niezmienionym końcówki Prog_enable przez co najmniej 10 μs po przyłożeniu wysokiego napięcia, aby upewnić się, iż sygnatura Prog_enable została zapamiętana.
3. Odczekaj co najmniej 300 μs przed wydaniem jakiegokolwiek rozkazu programowania równoległego.
4. Wyjdź z trybu programowania przez wyłączenie zasilania lub przyłożenie do końcówki RESET napięcia 0V.

Jeśli wzrost napięcia zasilania na końcówce VCC nie jest w stanie spełnić powyższych wymagań, można użyć zastępczo następującego algorytmu:

1. Ustaw końcówki Prog_enable na "0000", końcówkę RESET na 0V i końcówkę VCC na 0V.
2. Przyłóż napięcie 4,5...5,5V pomiędzy VCC i GND.
3. Monitoruj VCC i gdy tylko osiągnie 0,9 ... 1,1V, przyłóż do końcówki RESET napięcie 11,5 ... 12,4V.
4. Utrzymuj w stanie niezmienionym końcówki Prog_enable przez co najmniej 10 μs po przyłożeniu wysokiego napięcia, aby upewnić się, iż sygnatura Prog_enable została zapamiętana.
5. Poczekaj, aż VCC naprawdę osiągnie 4,5 ... 5,5V przed wydaniem jakiegokolwiek rozkazu programowania równoległego.
6. Wyjdź z trybu programowania przez wyłączenie zasilania lub przyłożenie do końcówki RESET napięcia 0V.

Uwagi na temat efektywnego programowania

Załadowany rozkaz i adres są przechowywane w mikrokontrolerze podczas programowania. Przy efektywnym programowaniu powinno się rozważyć, co następuje:

• Rozkaz wymaga tylko pojedynczego załadowania, gdy zapisuje się lub odczytuje wiele komórek pamięci.
• Po kasowaniu układu (ang. Chip Erase) pomijaj zapis wartości 0xFF, którą wypełniona została cała pamięć EEPROM (o ile nie został zaprogramowany bit bezpiecznikowy EESAVE).
• Górny bajt adresu musi być ponownie załadowany tylko przed programowaniem lub odczytem nowego 256-słowowego okna w pamięci FLASH lub 256-bajtowego okna w pamięci EEPROM. To odnosi się również do odczytu bajtów sygnaturowych.

Kasowanie układu (ang. Chip Erase)

Rozkaz Chip Erase skasuje zawartość pamięci FLASH i EEPROM (zawartość EEPROM zostaje zachowana podczas kasowania, jeśli został zaprogramowany bit bezpiecznikowy EESAVE) plus bity blokowania. Bity blokowania (ang. lock bits) nie są resetowane aż cała pamięć programu nie zostanie całkowicie skasowana. Bity bezpiecznikowe nie są zmieniane. Rozkaz Chip Erase musi być wykonany przed przeprogramowaniem pamięci FLASH i/lub EEPROM.

Uwaga: 1. Pamięć EEPRPOM jest zachowywana podczas kasowania układu, jeśli zaprogramowano bit bezpiecznikowy EESAVE.

1. Ustaw XA1, XA0 na “10”. To uaktywnia ładowanie rozkazu.
2. Ustaw BS1 na “0”.
3. Ustaw DATA na “1000 0000”. To jest rozkaz kasowania układu (ang. Chip Erase).
4. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje ten rozkaz.
5. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR. To rozpocznie operację kasowania. Końcówka RDY/BSY przejdzie w stan niski.
6. Poczekaj na powrót końcówki RDY/BSY do stanu wysokiego przed załadowaniem nowego rozkazu.

Programowanie pamięci FLASH

Pamięć FLASH zorganizowana jest w strony. Przy programowaniu dane programu są zapamiętywane w buforze strony. Pozwala to na jednoczesne zaprogramowanie jednej strony z danymi programu. Poniższa procedura opisuje sposób zaprogramowania całej pamięci FLASH:

A. Załadowanie rozkazu “Write FLASH” (Zapis FLASH)

1. Ustaw XA1, XA0 na “10”. To uaktywnia ładowanie rozkazu.
2. Ustaw BS1 na “0”.
3. Ustaw DATA na “0001 0000”. To jest rozkaz zapisu FLASH.
4. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje ten rozkaz.

B. Ładowanie dolnego bajtu adresu

1. Ustaw XA1, XA0 na “00”. To włącza ładowanie adresu.
2. Ustaw BS1 na “0”. To wybiera dolny bajt adresu.
3. Ustaw DATA = dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje dolny bajt adresu.

C. Ładowanie dolnego bajtu danych

1. Ustaw XA1, XA0 na “01”. To włącza ładowanie danych.
2. Ustaw DATA = dolny bajt danych (0x00 - 0xFF).
3. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje dolny bajt danych.

D. Ładowanie górnego bajtu danych

1. 1. Ustaw BS1 na “1”. To wybiera górny bajt danych.
2. Ustaw XA1, XA0 na “01”. To włącza ładowanie danych.
3. Ustaw DATA = górny bajt danych (0x00 - 0xFF).
4. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje górny bajt danych.

E. Zapamiętanie danych

1. Ustaw BS1 na “1”. To wybiera górny bajt danych.
2. Wyślij dodatni impuls na końcówkę PAGEL. To zapamiętuje bajty danych.

F. Powtarzaj kroki od B do E aż do wypełnienia całego bufora lub do załadowania wszystkich danych w obrębie danej strony

Podczas gdy dolne bity adresu odwzorowują słowa wewnątrz strony, to starsze bity adresują strony wewnątrz pamięci FLASH. Przedstawiono to na rysunku poniżej. Zauważ, że jeśli do adresowania słów w obrębie strony potrzebne jest mniej niż osiem bitów (rozmiar strony < 256), to najbardziej znaczący bit (lub bity) w dolnym bajcie adresu są używane do adresowania strony, gdy będzie wykonywany zapis strony.

G. Ładowanie starszego bajtu adresu

1. Ustaw XA1, XA0 na “00”. To włącza ładowanie adresu.
2. Ustaw BS1 na “1”. To wybiera starszy bajt adresu.
3. Ustaw DATA = Starszy bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje górny bajt adresu.

H. Programowanie strony

1. Ustaw BS1 = “0”.
2. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR. To rozpocznie programowanie całej strony danych. Końcówka RDY/BSY przechodzi w stan niski.
3. Zaczekaj, aż końcówka RDY/BSY przyjmie stan wysoki.

I. Powtarzaj kroki od B do H aż cała pamięć FLASH zostanie zaprogramowana lub aż wszystkie dane będą zaprogramowane

J. Koniec programowania stron

1. Ustaw XA1, XA0 na “10”. To włącza ładowanie rozkazu.
2. Ustaw DATA na “0000 0000”. To jest rozkaz "Brak działania" (ang. No Operation).
3. Wyślij dodatni impuls na końcówkę XTAL1. To załaduje ten rozkaz i zresetuje wewnętrzne sygnały zapisu.

Adresowanie pamięci FLASH, która jest zorganizowana w strony

Przebiegi sygnałów w wysokonapięciowym programowaniu szeregowym
Litery odpowiadają krokom w algorytmie
XX oznacza wartość nieistotną

Programowanie pamięci EEPROM

Pamięć EEPROM zorganizowana jest w strony. Gdy pamięć ta jest programowana, dane są zapamiętywane w buforze strony. Pozwala to jednocześnie programować jedną stronę danych. Algorytm programowania pamięci danych EEPROM jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0001 0001”.
2. G: Załaduj górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
3. B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. C: Załaduj dane (0x00 - 0xFF).
5. E: Zapamiętaj dane (dodatni impuls na końcówkę PAGEL).
6. K: Powtarzaj kroki od 3 do 5 aż do wypełnienia całego bufora.

L: Zaprogramuj stronę EEPROM:

1. Ustaw BS1 na “0”.
2. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR. Rozpocznie to programowanie strony EEPROM. Końcówka RDY/BSY przyjmie stan niski.
3. Czekaj na powrót końcówki RDY/BSY do stanu wysokiego przed programowaniem następnej strony.

Przebiegi sygnałów w wysokonapięciowym programowaniu szeregowym
Litery odpowiadają krokom w algorytmie
XX oznacza wartość nieistotną

Odczytywanie FLASH

Algorytm odczytywania pamięci FLASH jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0000 0010”.
2. G: Załaduj górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
3. B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. Ustaw OE na “0”, a BS1 na “0”. Teraz z linii DATA można odczytać dolny bajt z FLASH.
5. Ustaw BS1 na “1”. Teraz z linii DATA można odczytać górny bajt z FLASH.
6. Ustaw OE na “1”.

Odczytywanie EEPROM

Algorytm odczytywania pamięci EEPROM jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0000 0011”.
2. G: Załaduj górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
3. B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. Ustaw OE na “0”, a BS1 na “0”. Teraz z linii DATA można odczytać bajt z EEPROM.
5. Ustaw OE na “1”.

Programowanie dolnych bitów bezpiecznikowych

Algorytm programowania dolnych bitów bezpiecznikowych jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0100 0000”.
2. C: Załaduj dolny bajt danych. Bit n = “0” programuje, a bit n = “1” kasuje dany bit bezpiecznikowy.
3. Ustaw BS1 i BS2 na “0”.
4. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR i poczekaj na powrót końcówki RDY/BSY do stanu wysokiego.

Programowanie górnych bitów bezpiecznikowych

Algorytm programowania górnych bitów bezpiecznikowych jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0100 0000”.
2. C: Załaduj dolny bajt danych. Bit n = “0” programuje, a bit n = “1” kasuje dany bit bezpiecznikowy.
3. Ustaw BS1 na "1", a BS2 na "0". To wybiera górny bajt danych.
4. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR i poczekaj na powrót końcówki RDY/BSY do stanu wysokiego.
5. Ustaw BS1 na "0". To wybiera dolny bajt danych.

Programowanie rozszerzonych bitów bezpiecznikowych

Algorytm programowania rozszerzonych bitów bezpiecznikowych jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0100 0000”.
2. C: Załaduj dolny bajt danych. Bit n = “0” programuje, a bit n = “1” kasuje dany bit bezpiecznikowy.
3. Ustaw BS1 na "0", a BS2 na "1". To wybiera rozszerzony bajt danych.
4. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR i poczekaj na powrót końcówki RDY/BSY do stanu wysokiego.
5. Ustaw BS1 na "0". To wybiera dolny bajt danych.

Programowanie bitów blokujących

Algorytm programowania bitów blokujących jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0010 0000”.
2. C: Załaduj dolny bajt danych. Bit n = “0” programuje dany bit bezpiecznikowy (bity bezpiecznikowe można wykasować tylko przez skasowanie całego układu mikrokontrolera).
3. Wyślij ujemny impuls na końcówkę WR i poczekaj na powrót końcówki RDY/BSY do stanu wysokiego.

Odczyt bitów bezpiecznikowych i blokujących

Algorytm odczytywania bitów bezpiecznikowych i blokujących jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0000 0100”.
2. Ustaw OE na “0”, BS2 na “0” i BS1 na “0”. Stan dolnego bajtu bitów bezpiecznikowych można teraz odczytać z linii DATA (“0” oznacza stan zaprogramowany).
3. Ustaw OE na “0”, BS2 na “1” i BS1 na “1”. Stan górnego bajtu bitów bezpiecznikowych można teraz odczytać z linii DATA (“0” oznacza stan zaprogramowany).
4. Ustaw OE na “0”, BS2 na “1” i BS1 na “0”. Stan rozszerzonego bajtu bitów bezpiecznikowych można teraz odczytać z linii DATA (“0” oznacza stan zaprogramowany).
5. Ustaw OE na “0”, BS2 na “0” i BS1 na “1”. Stan bitów blokujących można teraz odczytać z linii DATA (“0” oznacza stan zaprogramowany).
6. Ustaw OE na “1”.

Odwzorowanie pomiędzy BS1, BS2 a bitami bezpiecznikowymi i bitami blokującymi podczas odczytywania

Odczytywanie bajtów sygnaturowych

Algorytm odczytywania bajtów sygnaturowych jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0000 1000”.
2. B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0x02).
3. Ustaw OE na “0” i BS1 na “0”. Wybrany bajt sygnatury można teraz odczytać z linii DATA.
4. Ustaw OE na “1”.

Odczytywanie bajtu kalibracyjnego

Algorytm odczytywania bajtu kalibracyjnego jest następujący:

1. A: Załaduj rozkaz “0000 1000”.
2. B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00).
3. Ustaw OE na “0” i BS1 na “1”. Bajt kalibracyjny można teraz odczytać z linii DATA.
4. Ustaw OE na “1”.

Parametry programowania równoległego

Czasy w programowaniu równoległym, łącznie z niektórymi ogólnymi wymaganiami czasowymi

Czasy w programowaniu równoległym, sekwencja ładowania z wymaganiami czasowymi⁽¹⁾

Parametry programowania równoległego, V_CC = 5V ±10%

Obie pamięci FLASH i EEPROM można programować przy wykorzystaniu magistrali szeregowej SPI, gdy końcówka RESET zostanie zwarta do masy GND. Interfejs szeregowy składa się z końcówek  SCK, MOSI (wejście) i MISO (wyjście).

Gdy na końcówkę RESET poda się stan niski, należy najpierw wykonać instrukcję włączającą programowanie, zanim będzie można wykonywać operacje wymazywania/programowania.

Przydział końcówek dla programowania szeregowego

Programowanie szeregowe i weryfikacja⁽¹⁾

Przy programowaniu pamięci EEPROM cykl samokasowania jest wbudowany w samotaktującą się operację programowania (tylko w trybie szeregowym) i nie ma potrzeby wykonywania najpierw instrukcji kasowania układu (ang. Chip Erase). Operacja kasowania układu zmienia zawartość każdej komórki w pamięci programu FLASH i w pamięci EEPROM w 0xFF.

Zależnie od bitów bezpiecznikowych CKSEL musi być obecny właściwy zegar. Minimalne okresy stanów niskich i wysokich dla zegara szeregowego (SCK) są zdefiniowane następująco:

Stan niski: > 2 taktów zegara mikroprocesora dla f_ck < 12MHz, 3 taktów zegara mikroprocesora dla f_ck >= 12MHz
Stan wysoki: > 2 taktów zegara mikroprocesora dla f_ck < 12MHz, 3 taktów zegara mikroprocesora dla f_ck >= 12MHz

Algorytm programowania szeregowego

Gdy dane szeregowe są zapisywane w mikrokontrolerze ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P, ich taktowanie następuje przy narastającym zboczu sygnału SCK. Gdy dane są odczytywane z ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P, taktowanie odbywa się przy opadającym zboczu SCK.

Do programowania i weryfikacji mikrokontrolera ATmega48A/PA/88A/PA/168A/PA/328/P zalecana jest następująca sekwencja operacji:

1. Sekwencja włączania zasilania:
   Przyłóż napięcie zasilające pomiędzy końcówki V_CC i GND. podczas gdy RESET i SCK są wysterowane stanem zero. W niektórych systemach programator nie gwarantuje utrzymywania SCK w stanie niskim podczas uruchamiania. W takich przypadkach na końcówkę RESET należy przesłać dodatni impuls o czasie trwania co najmniej dwóch taktów zegara mikroprocesora po ustawieniu SCK na "0"".
2. Odczekaj przynajmniej  20 ms i włącz programowanie szeregowe przez wysłanie szeregowej instrukcji włączania programowania na końcówkę MOSI.
3. Instrukcje programowania szeregowego nie będą działały, jeśli komunikacja nie jest zsynchronizowana. Przy zsynchronizowaniu drugi bajt (0x53) wróci jako echo przy wysyłaniu trzeciego bajtu instrukcji włączania programowania. Bez względu na poprawność tego echa należy wytransmitować wszystkie cztery bajty instrukcji. Jeśli nie wróciło echo 0x53, prześlij dodatni impuls na RESET i wyślij nowy rozkaz włączenia programowania.
4. Pamięć FLASH jest programowana strona po stronie. Strona pamięci jest ładowana bajt po bajcie przez dostarczenie 6 najmłodszych bitów adresu i danych wraz z instrukcją ładowania strony pamięci. Aby zapewnić poprawne ładowanie strony, dla danego adresu dolny bajt danych musi być załadowany przed górnym bajtem. Strona pamięci programu jest umieszczana we FLASH przez załadowanie instrukcji zapisu strony pamięci programu z 7 MSB adresu. Jeśli podgląd (RDY/BSY) nie jest wykorzystywany, to użytkownik musi odczekać co najmniej przez czas t_{WD_FLASH} przed wysłaniem następnej strony. Dostęp do interfejsu programowania szeregowego przed zakończeniem operacji zapisu w pamięci FLASH może spowodować błędne zaprogramowanie.
5. A: Pamięć EEPROM jest programowana bajt po bajcie przez dostarczenie adresu i danych wraz z odpowiednią instrukcją zapisu. Komórka pamięci EEPROM jest najpierw automatycznie kasowana przed zapisem nowych danych. Jeśli podgląd (RDY/BSY) nie jest wykorzystywany, to użytkownik musi odczekać co najmniej przez czas t_{WD_EEPROM} przed wysłaniem następnego bajtu. Jeśli układ mikrokontrolera został skasowany, to nie ma potrzeby programowania komórek, które mają zawierać wartość 0xFF.
   B: Pamięć EEPROM jest programowana po strnie. Strona pamięci jest ładowana bajt po bajcie przez dostarczenie 6 bitów LSB adresu i danych wraz z instrukcją ładowania strony pamięci EEPROM (ang. Load EEPROM Memory Page instruction). Strona pamięci EEPROM zostaje zapamiętana poprzez załadowanie instrukcji zapisu strony pamięci EEPROM (ang. Write EEPROM Memory Page Instruction) z 7 bitami MSB adresu. Gdy wykorzystywany jest dostęp do strony EEPROM, to zmieniane są jedynie komórki ładowane instrukcją ładowania strony pamięci EEPROM. Pozostałe komórki pozostają niezmienione.Jeśli podgląd (RDY/BSY) nie jest wykorzystywany, to użytkownik musi odczekać co najmniej przez czas t_{WD_EEPROM} przed wysłaniem następnego bajtu. Jeśli układ mikrokontrolera został skasowany, to nie ma potrzeby programowania komórek, które mają zawierać wartość 0xFF.
6. Każdą komórkę pamięci można zweryfikować za pomocą instrukcji odczytu, która zwraca zawartość z wybranego adresu na wyjściu szeregowym MISO.
7. Po zakończeniu sesji programowania można ustawić końcówkę RESET w stan wysoki, aby rozpocząć normalną pracę.
8. Sekwencja wyłączania (jeśli jest potrzebna):
   Ustaw końcówkę RESET na “1”.
   Wyłącz napięcie zasilania V_CC.

Podgląd danych FLASH

Gdy strona pamięci jest programowana wewnątrz FLASH, odczyt komórki w obrębie tej strony da wartość 0xFF. Gdy mikrokontroler będzie gotowy na nową stronę, programowana wartość zostanie odczytana prawidłowo. Używa się tego do określenia, kiedy można zapisać następną stronę. Zwróć uwagę, iż cała strona jest zapisywana równocześnie i można użyć dowolnej jej komórki do podglądu. Podgląd nie zadziała z wartością 0xFF, zatem przy programowaniu tej wartości użytkownik będzie musiał odczekać przez czas co najmniej t_{WD_FLASH} przed programowaniem następnej strony. Ponieważ skasowany układ zawiera wartości 0xFF we wszystkich komórkach, programowanie ich można pominąć.

Podgląd danych EEPROM

Gdy nowy bajt został zapisany i jest programowany w EEPROM, odczyt komórki zawierającej go da wartość 0xFF. Gdy pamięć będzie gotowa na nowy bajt, programowana komórka da prawidłowy odczyt. Używa się tego do określenia, kiedy można zapisać następny bajt. Nie zadziała to z wartością 0xFF, lecz użytkownik powinien pamiętać, że skasowane urządzenie zawiera wartości 0xFF w każdej komórce, zatem ich programowanie można pominąć. Nie ma to zastosowania, gdy pamięć EEPROM podlega przeprogramowaniu bez kasowania układu mikrokontrolera. W takim przypadku wartość 0xFF nie może być użyta do podglądu i użytkownik będzie musiał odczekać przez czas co najmniej t_{WD_EEPROM}, przed zaprogramowaniem następnego bajtu.

Minimalne czasy opóźnień przed zapisem następnych komórek we FLASH lub w EEPROM

Instrukcje programowania szeregowego (wartości szesnastkowe)

Jeśli najmłodszy bit LSB w bajcie danych RDY/BSY ma stan ‘1’, to operacja programowania jest ciągle wykonywana. Odczekaj, aż bit ten zwróci ‘0’, zanim wykonasz następną instrukcję.

Wewnątrz tej samej strony dolny bajt musi być załadowany przed bajtem górnym.

Po załadowaniu danych do bufora strony, zaprogramuj stronę EEPROM, zobacz na poniższy rysunek.

Parametry programowania szeregowego SPI