Mikrokontrolery

Poniższa tabelka podsumowuje parametry pamięci FLASH:

Poniższa tabelka podsumowuje parametry pamięci EEPROM:

Na poniższym rysunku przedstawiono sygnały programowania równoległego oraz połączenia:

Tabelka poniżej opisuje nazwy końcówek i sygnałów używanych w trybie programowania:

Zakłada się, że impulsy mają długość 250 ns, chyba że podano inaczej.

Poniższa tabelka przedstawia wartości końcówek używane przy wejściu w tryb programowania:

Końcówki XA1 i XA0 określają rodzaj działania, gdy na CLKI pojawi się dodatni impuls, co pokazuje poniższa tabelka:

Gdy pojawi się impuls na końcówce WR lub OE, załadowany rozkaz określa wykonywane działanie. Różne opcje rozkazów pokazuje poniższa tabelka:

Wejście w tryb programowania

Następujący algorytm wprowadza mikrokontroler w tryb wysokonapięciowego programowania równoległego (ang. Parallel High-voltage Programming Mode):

1. Ustaw końcówki prog_enable w stan “0000”, końcówki RESET i V_CC na 0 V.
2. Przyłóż napięcie 4,5 ... 5,5 V pomiędzy V_CC a GND.
3. Upewnij się, iż V_CC osiąga co najmniej 1,8 V w ciągu następnych 20 μs.
4. Odczekaj 20 ... 60 μs i przyłóż 11,5 ... 12,5V do RESET.
5. Utrzymuj końcówki prog_enable w stanie niezmienionym przez co najmniej 10 μs po przyłożeniu wysokiego napięcia, aby upewnić się iż sygnatura prog_enable została zapamiętana.
6. Odczekaj przynajmniej 300 μs przed wydaniem jakichkolwiek rozkazów programowania szeregowego.
7. Wyjdź z trybu programowania przez wyłączenie zasilania lub sprowadzenie końcówki RESET do poziomu 0 V.

Jeśli czas narastania V_CC nie spełnia wymienionych wyżej wymagań, można zastosować alternatywny algorytm:

1. Ustaw końcówki prog_enable na “0000”, końcówki RESET i V_CC na 0 V.
2. Przyłóż napięcie 4,5 ... 5,5 V pomiędzy V_CC a GND.
3. Monitoruj V_CC i jak tylko osiągnie 0,9 - 1,1 V, przyłóż 11,5 ... 12,5V do RESET.
4. Utrzymuj końcówki prog_enable w stanie niezmienionym przez co najmniej 10 μs po przyłożeniu wysokiego napięcia, aby upewnić się iż sygnatura prog_enable została zapamiętana.
5. Odczekaj, aż V_CC faktycznie osiągnie 4,5 ... 5,5 V przed wydaniem jakichkolwiek rozkazów programowania równoległego.
6. Wyjdź z trybu programowania przez wyłączenie zasilania lub sprowadzenie końcówki RESET do poziomu 0 V.

Zagadnienia efektywnego programowania

Załadowane rozkazy i adresy są przechowywane w mikrokontrolerze podczas programowania. Aby programować oszczędnie i efektywnie, zaleca się przestrzegać poniższych punktów:

• Przy zapisie lub odczycie wielu komórek pamięci rozkaz musi byź załadowany tylko jeden raz.
• Nie zapisuj wartości 0xFF, ponieważ wszystkie komórki FLASH i EEPROM mają już taką zawartość po kasowaniu układu (o ile nie został zaprogramowany bit bezpiecznikowy EESAVE, który chroni pamięć EEPROM przed skasowaniem).
• Górny bajt adresu musi być załadowany tylko przed programowaniem lub odczytem nowego okna złożonego z 256 słów w pamięci FLASH lub z 256 bajtów w pamięci EEPROM. Odnosi się to również do bajtów sygnaturowych.

Kasowanie układu (ang. Chip Erase)

Rozkaz Chip Erase musi zostać wykonany przed ponownym zaprogramowaniem FLASH i/lub EEPROM. Rozkaz Chip Erase wymaże całą pamięć FLASH i EEPROM plus bity blokujące. Jeśli został zaprogramowany bit bezpiecznikowy EESAVE, to pamięć EEPROM nie jest kasowana.

Bity blokujące nie są resetowane do momentu całkowitego skasowania pamięci. Bity bezpiecznikowe nie są zmieniane.

Rozkaz Chip Erase jest ładowany następująco:

1. Ustaw XA1, XA0 na “10”. Aktywuje to ładowanie rozkazu.
2. Ustaw  BS1 na “0”.
3. Ustaw DATA na “1000 0000”. Jest to kod rozkazu kasowania układu (ang. Chip Erase).
4. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Rozkaz zostanie załadowany.
5. Prześlij przez WR ujemny impuls. Rozpocznie to kasowanie układu. RDY/BSY przejdzie w stan niski.
6. Poczekaj, aż RDY/BSY powróci w stan wysoki przed załadowaniem nowego rozkazu.

Programowanie pamięci FLASH

Pamięć FLASH zorganizowana jest w strony, co pokazuje poniższa tabelka:

Przy programowaniu FLASH dane programu są najpierw umieszczane w buforze strony. Pozwala to jednocześnie zaprogramować jedną stronę danych programu. Poniższa procedura opisuje, jak zaprogramować całą pamięć FLASH:

A. Ładowanie rozkazu zapisu FLASH (ang. Write FLASH):

1. Ustaw XA1, XA0 na “10”. Aktywuje to ładowanie rozkazu.
2. Ustaw  BS1 na “0”.
3. Ustaw DATA na “0001 0000”. Jest to kod rozkazu zapisu pamięci FLASH (ang. Write FLASH).
4. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Rozkaz zostanie załadowany.

B. Ładowanie dolnego bajtu adresu:

1. Ustaw XA1, XA0 na “00”. Aktywuje to ładowanie adresu.
2. Ustaw BS1 na “0”. Wybiera to dolny adres.
3. Ustaw DATA = dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Załaduje to dolny bajt adresu.

C. Ładowanie dolnego bajtu danych:

1. Ustaw XA1, XA0 na “01”. Aktywuje to ładowanie danych.
2. Ustaw DATA = dolny bajt danych (0x00 - 0xFF).
3. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Załaduje to bajt danych.

D. Ładowanie górnego bajtu danych:

1. Ustaw BS1 na “1”. Wybiera to górny bajt danych.
2. Ustaw XA1, XA0 na “01”. Aktywuje to ładowanie danych.
3. Ustaw DATA = górny bajt danych (0x00 - 0xFF).
4. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Załaduje to bajt danych.

E. Powtarzaj od B do E, aż cały bufor zostanie wypełniony lub wszystkie dane wewnątrz strony zostaną załadowane.

Dolne bity w adresie odwzorowują położenie słów wewnątrz strony, natomiast wyższe bity adresują strony w pamięci FLASH. Pokazuje to poniższy rysunek:

Zauważ, iż jeśli do adresowania słów na stronie potrzebne jest mniej niż osiem bitów (rozmiar strony < 256), to najbardziej znaczące bity w dolnym bajcie adresu są używane do adresowania strony, gdy jest wykonywany zapis strony (ang. Page Write).

F. Ładowanie górnego bajtu adresu

1. Ustaw XA1, XA0 na “00”. Aktywuje to ładowanie adresu.
2. Ustaw BS1 na “1”. Wybiera to górny bajt adresu.
3. Ustaw DATA = górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
4. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Załaduje to górny bajt adresu.

G. Programowanie strony

1. Prześlij przez WR ujemny impuls. Uruchomi to programowanie całej strony danych. RDY/BSY przejdzie w stan niski.
2. Odczekaj, aż RDY/BSY powróci do stanu wysokiego.

H. Powtarzaj od B do H, aż cała pamięć FLASH zostanie zaprogramowana lub aż zostaną zaprogramowane wszystkie dane.

I. Zakończenie programowania strony

1. Ustaw XA1, XA0 na “10”. Aktywuje to ładowanie rozkazu.
2. Ustaw DATA na “0000 0000”. Jest to kod operacji pustej (ang. No Operation).
3. Prześlij przez XTAL1 dodatni impuls. Załaduje to ten rozkaz, a wewnętrzne sygnały zapisu zostaną zresetowane.

Poniższy rysunek ilustruje adresowanie stron pamięci FLASH. Tabelka poniżej rysunku wyjaśnia znaczenia użytych oznaczeń.

Więcej informacji znajdziesz w podrozdziale "Parametry pamięci"

Na poniższym rysunku przedstawione są przebiegi sygnałów przy programowaniu FLASH. XX oznacza "wartość nieistotną", a litery odnoszą się do opisanych wcześniej kroków programowania.

Programowanie pamięci EEPROM

Pamięć EEPROM zorganizowana jest w strony, co pokazuje poniższa tabelka:

Przy programowaniu EEPROM dane są zapamiętywane w buforze strony. Pozwala to na jednoczesne programowanie jednej strony danych.

Algorytm programujące pamięć danych EEPROM jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0001 0001” (zapis pamięci EEPROM).
• G: Załaduj górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
• B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
• C: Załaduj dane (0x00 - 0xFF).
• J: Powtarzaj kroki B i C, aż cały bufor zostanie wypełniony.
• K: Zaprogramuj stronę EEPROM:
  • Ustaw BS1 na “0”.
  • Prześlij ujemny impuls przez WR. Rozpocznie to programowanie strony pamięci EEPROM. RDY/BSY przejdzie w stan niski.
  • Odczekaj, aż RDY/BSY wróci do stanu wysokiego przed zaprogramowaniem następnej strony.

Przebiegi w programowaniu EEPROM są zilustrowane na poniższym rysunku. XX oznacza "wartość nieistotną", a litery odnoszą się do opisanych wcześniej kroków programowania.

Odczyt pamięci FLASH

Algorytm odczytu pamięci FLASH jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0000 0010” (odczyt FLASH).
• G: Załaduj górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
• B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
• Ustaw OE na “0” i BS1 na “0”. Teraz dolny bajt słowa pamięci FLASH można odczytać z DATA.
• Ustaw BS1 to “1”. Teraz górny bajt słowa pamięci FLASH można odczytać z DATA.
• Ustaw OE na “1”.

Odczyt pamięci EEPROM

Algorytm odczytu pamięci FLASH jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0000 0011” (odczyt EEPROM).
• G: Załaduj górny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
• B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0xFF).
• Ustaw OE na “0” i  BS1 “0”. Teraz bajt pamięci EEPROM można odczytać z DATA.
• Ustaw OE na “1”.

Programowanie dolnych bitów bezpiecznikowych

Algorytm programowania dolnych bitów bezpiecznikowych jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0100 0000” (zapis bitów bezpiecznikowych).
• C: Załaduj bajt danych. Bit n = “0” programuje, bit n = “1” kasuje bit bezpiecznikowy.
• Prześlij przez WR ujemny impuls i poczekaj na powrót do stanu wysokiego linii RDY/BSY.

Programowanie górnych bitów bezpiecznikowych

Algorytm programowania górnych bitów bezpiecznikowych jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0100 0000” (zapis bitów bezpiecznikowych).
• C: Załaduj bajt danych. Bit n = “0” programuje, bit n = “1” kasuje bit bezpiecznikowy.
• Ustaw BS1 na “1” i BS2 na “0”. To wybiera górny bajt danych.
• Prześlij przez WR ujemny impuls i poczekaj na powrót do stanu wysokiego linii RDY/BSY.
• Ustaw BS1 na 0. To wybierze z powrotem dolny bajt danych.

Programowanie rozszerzonych bitów bezpiecznikowych

Algorytm programowania rozszerzonych bitów bezpiecznikowych jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0100 0000” (zapis bitów bezpiecznikowych).
• C: Załaduj bajt danych. Bit n = “0” programuje, bit n = “1” kasuje bit bezpiecznikowy.
• Ustaw BS1 na “0” i BS2 na “1”. To wybiera bajt rozszerzony.
• Prześlij przez WR ujemny impuls i poczekaj na powrót do stanu wysokiego linii RDY/BSY.
• Ustaw BS2 na 0. To wybierze z powrotem dolny bajt danych.

Poniższy rysunek ilustruje przebiegi sygnałów przy programowaniu bitów bezpiecznikowych. XX oznacza "wartość nieistotną", a litery odnoszą się do opisanych wcześniej kroków programowania.

Programowanie bitów blokujących

Algorytm programowania bitów blokujących jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

1. A: Załaduj rozkaz “0010 0000” (programowanie bitów blokujących).
2. C: Załaduj bajt danych. Bit n = “0” programuje, bit n = “1” kasuje bit blokujący. Jeśli zaprogramowany został 3 tryb LB (LB1 i LB2 zaprogramowane), nie jest możliwe zaprogramowanie bitów blokujących przez żaden zewnętrzny tryb programowania.
3. Prześlij przez WR ujemny impuls i poczekaj na powrót do stanu wysokiego linii RDY/BSY. Bity blokujące można wymazać tylko przez wykonanie rozkazu kasowania układu (ang. Chip Erase).

Odczyt bitów bezpiecznikowych i bitów blokujących

Algorytm odczytu bitów bezpiecznikowych i blokujących jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

• A: Załaduj rozkaz “0000 0100” (odczyt bitów bezpiecznikowych i blokujących).
• Ustaw OE na “0”, BS2 na “0” i BS1 na “0”. Stan dolnych bitów bezpiecznikowych można teraz odczytać z linii DATA ("0" oznacza bit zaprogramowany).
• Ustaw OE na “0”, BS2 na “1” i BS1 na “1”. Stan górnych bitów bezpiecznikowych można teraz odczytać z linii DATA ("0" oznacza bit zaprogramowany).
• Ustaw OE na “0”, BS2 na “1” i BS1 na “0”. Stan rozszerzonych bitów bezpiecznikowych można teraz odczytać z linii DATA ("0" oznacza bit zaprogramowany).
• Ustaw OE na “0”, BS2 na “0” i BS1 na “1”. Stan bitów blokujących można teraz odczytać z linii DATA ("0" oznacza bit zaprogramowany).
• Ustaw OE na “1”.

Poniższy rysunek ilustruje odwzorowanie pomiędzy BS1, BS2 a bitami bezpiecznikowymi i blokującymi podczas odczytu:

Odczyt bajtów sygnaturowych

Algorytm odczytu bajtów sygnaturowych jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

1. A: Załaduj rozkaz “0000 1000” (odczyt bajtów sygnaturowych).
2. B: Załaduj dolny bajt adresu (0x00 - 0x02).
3. Ustaw OE na “0” i BS1 na “0”. Wybrany bajt sygnatury może teraz być odczytany z linii DATA.
4. Ustaw OE na “1”.

Odczyt bajtu kalibracyjnego

Algorytm odczytu bajtu kalibracyjnego jest następujący (zobacz do podrozdziału "Programowanie pamięci FLASH", gdzie znajdziesz szczegóły na temat ładowania rozkazów, adresów i danych):

1. A: Załaduj rozkaz “0000 1000”.
2. Załaduj dolny bajt adresu, 0x00.
3. Ustaw OE na “0” i BS1 na “1”. Bajt kalibracyjny można teraz odczytać z linii DATA.
4. Ustaw OE na “1”

Obie pamięci FLASH i EEPROM można programować za pomocą szeregowej magistrali SPI po wymuszeniu poziomu masy GND na końcówce RESET. Interfejs szeregowy składa się z końcówek SCK, MOSI (wejścia) i MISO (output). Po podaniu stanu niskiego na końcówkę RESET należy wykonać instrukcję uaktywniającą programowanie (ang. Programming Enable instruction) przed wykonaniem operacji programowania/kasowania.

Poniższy rysunek przedstawia sygnały i połączenia w programowaniu szeregowym:

Gdy programowana jest pamięć EEPROM, to w operację programowania wbudowany jest cykl automatycznego kasowania i nie ma potrzeby wcześniejszego wykonywania rozkazu kasowania układu (ang. Chip Erase). Odnosi się to tylko do trybu programowania szeregowego.

Operacja kasowania układu ustawia zawartość każdej komórki pamięci we FLASH i w EEPROM na 0xFF.

Zależnie od ustawienia bitów bezpiecznikowych CKSEL układ musi być taktowany właściwym zegarem. Minimalne długości okresów niskich i wysokich na wejściu sygnału zegara szeregowego (SCK) są zdefiniowane następująco:

• Minimalny okres stanu niskiego w sygnale zegara szeregowego:
  • gdy f_ck < 12MHz: > 2 takty zegara mikroprocesora
  • gdy f_ck >= 12MHz: 3 takty zegara mikroprocesora
• Minimalny okres stanu wysokiego w sygnale zegara szeregowego:
  • gdy f_ck < 12MHz: > 2 takty zegara mikroprocesora
  • gdy f_ck >= 12MHz: 3 takty zegara mikroprocesora

Odwzorowanie końcówek

Poniższa tabelka wymienia przypisania końcówek. Zauważ, iż nie wszystkie mikrokontrolery używają końcówek SPI przeznaczonych dla wewnętrznego interfejsu SPI.

Algorytm programowania

Gdy dane szeregowe są zapisywane do ATtiny2313A/4313, ich odczyt przez mikroprocesor następuje na narastającym zboczu sygnału zegarowego SCK. Gdy dane są odczytywane z ATtiny2313A/4313, ich próbkowanie następuje przy opadającym zboczu sygnału SCK.

Aby zaprogramować i zweryfikować mikrokontroler ATtiny2313A/4313 w trybie programowania szeregowego, zaleca następujący ciąg operacji:

1. Sekwencja włączenia zasilania (ang. power-up sequence):
   Przyłóż napięcie zasilające pomiędzy końcówki V_CC i GND, jednocześnie wymuszając stan niski "0" na końcówkach RESET i SCK.
   • W niektórych systemach programator nie może zagwarantować utrzymania końcówki SCK w stanie niskim. W takim przypadku na wejście RESET należy podać dodatni impuls po ustawieniu SCK na "0". Długość tego impulsu nie może być niższa od t_RST (minimalna szerokość impulsu na końcówce RESET) plus dwa cykle zegarowe mikroprocesora.
2. Odczekaj co najmniej 20 ms i uaktywnij programowanie szeregowe przez wysłanie instrukcji włączającej je na końcówkę MOSI.
3. Instrukcje programowania szeregowego nie będą działać, jeśli komunikacja nie zostanie zsynchronizowana. Gdy nastąpi synchronizacja, to drugi bajt (0x53) zostanie zwrócony w trakcie przesyłania trzeciego bajtu instrukcji włączającej programowanie.
   • Bez względu na to, czy zwrócony bajt jest poprawny lub nie, wszystkie cztery bajty instrukcji muszą zostać przesłane.
   • Jeśli nie zostanie zwrócone 0x53, wyślij na RESET dodatni impuls i ponów przesłanie instrukcji włączającej. Jeśli po 32 próbach bajt 0x53 nie zostanie zwrócony poprawnie, to do programatora nie podłączono działającego mikrokontrolera.
4. Pamięć FLASH programowana jest strona po stronie. Strona pamięci jest ładowana bajt po bajcie przez podanie 4 najmłodszych bitów adresu i danych razem z instrukcją ładowania strony pamięci programu.
   • Aby zapewnić poprawne załadowanie strony, dolny bajt danych musi zostać załadowany przed górnym bajtem danych dla danego adresu.
   • Strona zostaje zapisana przez załadowanie instrukcji zapisu strony pamięci programu z 6 najstarszymi bitami adresu.
   • Jeśli nie jest używany podgląd danych (RDY/BSY), to użytkownik musi odczekać przez czas równy co najmniej t_{WD_FLASH} przed wysłaniem kolejnej strony. Dostęp do interfejsu programowania szeregowego przed zakończeniem operacji zapisu we FLASH może doprowadzić do jej błędnego zaprogramowania.
5. Pamięć EEPROM może być programowana po jednym bajcie lub stronami.
   • A: programowanie bajtami. Pamięć EEPROM jest programowana bajt po bajcie przez dostarczenie adresu i danych wraz z odpowiednią instrukcją zapisu. Komórka EEPROM zostaje najpierw automatycznie wymazana przed zapisaniem w niej nowych danych. Jeśli nie jest używany podgląd danych (RDY/BSY), to użytkownik musi odczekać przez czas równy co najmniej t_{WD_EEPROM} przed wysłaniem następnego bajtu. W wykasowanym układzie nie ma potrzeby programowania bajtów o wartościach 0xFF.
   • B: programowanie stronami. Strona pamięci jest ładowana bajt po bajcie przez dostarczenie 6 najmłodszych bitów adresu oraz danych razem w instrukcji ładowania strony EEPROM (ang. Load EEPROM Memory Page instruction). Strona EEPROM jest programowana w pamięci przez załadowanie instrukcji zapisu strony EEPROM (ang. Write EEPROM Memory Page Instruction) wraz z 7 najstarszymi bitami adresu. Gdy jest używany dostęp do EEPROM stronami, to zmieniane są jedynie komórki bajtowe załadowane instrukcją ładowania strony EEPROM, a pozostałe komórki pozostają bez zmian. Jeśli nie jest używany podgląd danych (RDY/BSY), to użytkownik musi odczekać przez czas równy co najmniej t_{WD_EEPROM} przed wysłaniem kolejnego bajtu.before issuing the next byte W wykasowanym układzie nie ma potrzeby programowania bajtów o wartościach 0xFF.
6. Dowolna pozycja w pamięci może zostać zweryfikowana przez instrukcję odczytu, która zwraca zawartość pod wybranym adresem poprzez szeregowe wyjście MISO.
7. Na końcu sesji programowania końcówka RESET może zostać ustawiona w stan wysoki, aby przywrócić normalne działanie mikrokontrolera.
8. Sekwencja wyłączenia zasilania (jeśli jest potrzebna):
   • Ustaw RESET na "1".
   • Wyłącz napięcie V_CC.

Minimalne czasy opóźnienia przed zapisem następnej komórki FLASH lub EEPROM

Zbiór instrukcji programowania szeregowego

1010 1100

0101 0011

xxxx xxxx

xxxx xxxx

1010 1100

100x xxxx

xxxx xxxx

xxxx xxxx

0010 H000

0000 00aa

bbbb bbbb

oooo oooo

0100 H000

000x xxxx

xxxx bbbb

iiii iiii

0100 1100

0000 00aa

bbbb xxxx

xxxx xxxx

1010 0000

000x xxxx

xbbb bbbb

oooo oooo

1100 0000

000x xxxx

xbbb bbbb

iiii iiii

1100 0001

0000 0000

0000 00bb

iiii iiii

1100 0010

00xx xxxx

xbbb bb00

xxxx xxxx

0101 1000

0000 0000

xxxx xxxx

xxoo oooo

1010 1100

111x xxxx

xxxx xxxx

11ii iiii

0011 0000

000x xxxx

xxxx xxbb

oooo oooo

1010 1100

1010 0000

xxxx xxxx

iiii iiii

1010 1100

1010 1000

xxxx xxxx

iiii iiii

1010 1100

1010 0100

xxxx xxxx

xxxx xxxi

0101 0000

0000 0000

xxxx xxxx

oooo oooo

0101 1000

0000 1000

xxxx xxxx

oooo oooo

0101 0000

0000 0100

xxxx xxxx

oooo oooo

0011 1000

000x xxxx

0000 000b

oooo oooo

1111 0000

0000 0000

xxxx xxxx

xxxx xxxo