Serwis Edukacyjny
w I-LO w Tarnowie
obrazek

Materiały dla uczniów liceum

  Wyjście       Spis treści       Wstecz       Dalej  

Tłumaczenie: mgr Jerzy Wałaszek

©2021 mgr Jerzy Wałaszek
I LO w Tarnowie

Opis instrukcji mikroprocesora Z80 – 12

SPIS TREŚCI

Opis instrukcji mikroprocesora Z80 – 12

Grupa instrukcji obrotów BCD

RLD

      

ROTATE LEFT DIGIT = Obróć cyfry BCD w lewo

Operacja:   obrazek
Mnemonik:   RLD
1 1 1 0 1 1 0 1 ED
0 1 1 0 1 1 1 1 6F
Opis:   Zawartość młodszych 4 bitów (b3, b2, b1 i b0) komórki pamięci wskazywanej przez adres przechowywany w parze rejestrów HL jest kopiowana do 4 starszych bitów tej komórki (b7, b6, b5 i b4); poprzednia zawartość tych bitów jest kopiowana do 4 młodszych bitów Akumulatora (rejestru A); a poprzednia zawartość czterech młodszych bitów akumulatora zostaje skopiowana do komórki pamięci adresowanej przez HL. Zawartość starszych 4 bitów Akumulatora nie jest zmieniana.
Cykle Takty Czas
5 18 (4,4,4,4,3) 4,50μs
Zmieniane znaczniki:   S jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera wynik ujemny; inaczej jest zerowany
Z jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera zero; inaczej jest zerowany
H jest zerowany
P / V jest ustawiany na 1, jeśli liczba bitów o stanie 1 w Akumulatorze po operacji jest parzysta; inaczej zerowany
N jest zerowany
C nie jest zmieniany
Przykład:   Jeśli zawartością pary rejestrów HL jest 5000H, a zawartość Akumulatora i komórki pamięci o adresie 5000H jest następująca:
Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 1 0 0 1   0 0 1 1 0 0 0 1
7 9   3 1

to po wykonaniu instrukcji RLD zawartość Akumulatora oraz komórki jest następująca:

Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 0 0 1 1   0 0 0 1 1 0 0 1
7 3   1 9

RRD

      

ROTATE RIGHT DIGIT = Obróć cyfry BCD w prawo

Operacja:   obrazek
Mnemonik:   RRD
1 1 1 0 1 1 0 1 ED
0 1 1 0 0 1 1 1 67
Opis:   Zawartość młodszych 4 bitów (b3, b2, b1 i b0) komórki pamięci wskazywanej przez adres przechowywany w parze rejestrów HL jest kopiowana do młodszych 4 bitów Akumulatora. Poprzednia zawartość młodszych 4 bitów Akumulatora zostaje umieszczona w 4 starszych bitach (b7, b6, b5 i b4) komórki pamięci o adresie w HL; poprzednia zawartość tych starszych 4 bitów zostaje umieszczona w młodszych 4 bitach tej komórki. Zawartość starszych 4 bitów Akumulatora nie jest zmieniana.
Cykle Takty Czas
5 18 (4,4,4,4,3) 4,50μs
Zmieniane znaczniki:   S jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera wynik ujemny; inaczej jest zerowany
Z jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera zero; inaczej jest zerowany
H jest zerowany
P / V jest ustawiany na 1, jeśli liczba bitów o stanie 1 w Akumulatorze po operacji jest parzysta; inaczej zerowany
N jest zerowany
C nie jest zmieniany
Przykład:   Jeśli zawartością pary rejestrów HL jest 5000H, a zawartość Akumulatora i komórki pamięci o adresie 5000H jest następująca:
Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 1 0 0 1   0 0 1 1 0 0 0 1
7 9   3 1

to po wykonaniu instrukcji RRD zawartość Akumulatora oraz komórki jest następująca:

Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 0 0 0 1   1 0 0 1 0 0 1 1
7 1   9 3
Na początek:  podrozdziału   strony 

Zespół Przedmiotowy
Chemii-Fizyki-Informatyki

w I Liceum Ogólnokształcącym
im. Kazimierza Brodzińskiego
w Tarnowie
ul. Piłsudskiego 4
©2021 mgr Jerzy Wałaszek

Materiały tylko do użytku dydaktycznego. Ich kopiowanie i powielanie jest dozwolone
pod warunkiem podania źródła oraz niepobierania za to pieniędzy.

Pytania proszę przesyłać na adres email: i-lo@eduinf.waw.pl

Serwis wykorzystuje pliki cookies. Jeśli nie chcesz ich otrzymywać, zablokuj je w swojej przeglądarce.

Informacje dodatkowe.