Serwis Edukacyjny nauczycieli w I-LO w Tarnowie Materiały dla uczniów liceum

Wyjście       Spis treści       Wstecz       Dalej   Tłumaczenie: mgr Jerzy Wałaszek

©2026 mgr Jerzy Wałaszek

Grupa instrukcji obrotów BCD

RLD	ROTATE LEFT DIGIT = Obróć cyfry BCD w lewo
Operacja:
Mnemonik:	RLD b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 1 1 1 0 1 1 0 1 ED 0 1 1 0 1 1 1 1 6F
Opis:	Zawartość młodszych 4 bitów (b3, b2, b1 i b0) komórki pamięci wskazywanej przez adres przechowywany w parze rejestrów HL jest kopiowana do 4 starszych bitów tej komórki (b7, b6, b5 i b4); poprzednia zawartość tych bitów jest kopiowana do 4 młodszych bitów Akumulatora (rejestru A); a poprzednia zawartość czterech młodszych bitów akumulatora zostaje skopiowana do komórki pamięci adresowanej przez HL. Zawartość starszych 4 bitów Akumulatora nie jest zmieniana. Cykle Takty Czas 5 18 (4,4,4,4,3) 4,50μs
Zmieniane znaczniki:	S jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera wynik ujemny; inaczej jest zerowany Z jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera zero; inaczej jest zerowany H jest zerowany P/V jest ustawiany na 1, jeśli liczba bitów o stanie 1 w Akumulatorze po operacji jest parzysta; inaczej zerowany N jest zerowany C nie jest zmieniany
Przykład:	Jeśli zawartością pary rejestrów HL jest 5000H, a zawartość Akumulatora i komórki pamięci o adresie 5000H jest następująca: Akumulator   Komórka o adresie 5000H b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 0 1 1 1 1 0 0 1   0 0 1 1 0 0 0 1 7 9   3 1 to po wykonaniu instrukcji RLD zawartość Akumulatora oraz komórki jest następująca: Akumulator   Komórka o adresie 5000H b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 0 1 1 1 0 0 1 1   0 0 0 1 1 0 0 1 7 3   1 9

---

RRD	ROTATE RIGHT DIGIT = Obróć cyfry BCD w prawo
Operacja:
Mnemonik:	RRD b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 1 1 1 0 1 1 0 1 ED 0 1 1 0 0 1 1 1 67
Opis:	Zawartość młodszych 4 bitów (b3, b2, b1 i b0) komórki pamięci wskazywanej przez adres przechowywany w parze rejestrów HL jest kopiowana do młodszych 4 bitów Akumulatora. Poprzednia zawartość młodszych 4 bitów Akumulatora zostaje umieszczona w 4 starszych bitach (b7, b6, b5 i b4) komórki pamięci o adresie w HL; poprzednia zawartość tych starszych 4 bitów zostaje umieszczona w młodszych 4 bitach tej komórki. Zawartość starszych 4 bitów Akumulatora nie jest zmieniana. Cykle Takty Czas 5 18 (4,4,4,4,3) 4,50μs
Zmieniane znaczniki:	S jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera wynik ujemny; inaczej jest zerowany Z jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera zero; inaczej jest zerowany H jest zerowany P/V jest ustawiany na 1, jeśli liczba bitów o stanie 1 w Akumulatorze po operacji jest parzysta; inaczej zerowany N jest zerowany C nie jest zmieniany
Przykład:	Jeśli zawartością pary rejestrów HL jest 5000H, a zawartość Akumulatora i komórki pamięci o adresie 5000H jest następująca: Akumulator   Komórka o adresie 5000H b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 0 1 1 1 1 0 0 1   0 0 1 1 0 0 0 1 7 9   3 1 to po wykonaniu instrukcji RRD zawartość Akumulatora oraz komórki jest następująca: Akumulator   Komórka o adresie 5000H b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0 0 1 1 1 0 0 0 1   1 0 0 1 0 0 1 1 7 1   9 3

do podrozdziału  do strony 

Zespół Przedmiotowy Chemii-Fizyki-Informatyki w I Liceum Ogólnokształcącym im. Kazimierza Brodzińskiego w Tarnowie ul. Piłsudskiego 4 ©2026 mgr Jerzy Wałaszek

Materiały tylko do użytku dydaktycznego. Ich kopiowanie i powielanie jest dozwolone pod warunkiem podania źródła oraz niepobierania za to pieniędzy.
Pytania proszę przesyłać na adres email: i-lo@eduinf.waw.pl
Serwis wykorzystuje pliki cookies. Jeśli nie chcesz ich otrzymywać, zablokuj je w swojej przeglądarce.

Informacje dodatkowe.