Do strony głównej I LO w Tarnowie   Wyjście Spis treści

Prezentowane materiały są przeznaczone dla uczniów szkół ponadgimnazjalnych.
Tłumaczył z angielskiego: mgr Jerzy Wałaszek,  wersja 1.0

 ©2011 mgr Jerzy Wałaszek
I LO w Tarnowie

Zestaw instrukcji mikroprocesora Z80

Grupa instrukcji obrotów BCD

 

RLD

       

ROTATE LEFT DIGIT = Obróć cyfry BCD w lewo
Operacja:  
Mnemonik:   RLD
   
1 1 1 0 1 1 0 1 ED
0 1 1 0 1 1 1 1 6F
Opis:   Zawartość młodszych 4 bitów (b3, b2, b1 i b0) komórki pamięci wskazywanej przez adres przechowywany w parze rejestrów HL jest kopiowana do 4 starszych bitów tej komórki (b7, b6, b5 i b4); poprzednia zawartość tych bitów jest kopiowana do 4 młodszych bitów Akumulatora (rejestru A); a poprzednia zawartość czterech młodszych bitów akumulatora zostaje skopiowana do komórki pamięci adresowanej przez HL. Zawartość starszych 4 bitów Akumulatora nie jest zmieniana.
   
Cykle Takty Czas
5 18 (4,4,4,4,3) 4,50μs
Zmieniane znaczniki:   S jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera wynik ujemny; inaczej jest zerowany
Z jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera zero; inaczej jest zerowany
H jest zerowany
P/V jest ustawiany na 1, jeśli liczba bitów o stanie 1 w Akumulatorze po operacji jest parzysta; inaczej zerowany
N jest zerowany
C nie jest zmieniany
Przykład:   Jeśli zawartością pary rejestrów HL jest 5000H, a zawartość Akumulatora i komórki pamięci o adresie 5000H jest następująca:
Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 1 0 0 1   0 0 1 1 0 0 0 1
7 9   3 1

to po wykonaniu instrukcji RLD zawartość Akumulatora oraz komórki jest następująca:

Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 0 0 1 1   0 0 0 1 1 0 0 1
7 3   1 9

 

 

RRD

       

ROTATE RIGHT DIGIT = Obróć cyfry BCD w prawo
Operacja:  
Mnemonik:   RRD
   
1 1 1 0 1 1 0 1 ED
0 1 1 0 0 1 1 1 67
Opis:   Zawartość młodszych 4 bitów (b3, b2, b1 i b0) komórki pamięci wskazywanej przez adres przechowywany w parze rejestrów HL jest kopiowana do młodszych 4 bitów Akumulatora. Poprzednia zawartość młodszych 4 bitów Akumulatora zostaje umieszczona w 4 starszych bitach (b7, b6, b5 i b4) komórki pamięci o adresie w HL; poprzednia zawartość tych starszych 4 bitów zostaje umieszczona w młodszych 4 bitach tej komórki. Zawartość starszych 4 bitów Akumulatora nie jest zmieniana.
   
Cykle Takty Czas
5 18 (4,4,4,4,3) 4,50μs
Zmieniane znaczniki:   S jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera wynik ujemny; inaczej jest zerowany
Z jest ustawiany na 1, jeśli Akumulator po operacji zawiera zero; inaczej jest zerowany
H jest zerowany
P/V jest ustawiany na 1, jeśli liczba bitów o stanie 1 w Akumulatorze po operacji jest parzysta; inaczej zerowany
N jest zerowany
C nie jest zmieniany
Przykład:   Jeśli zawartością pary rejestrów HL jest 5000H, a zawartość Akumulatora i komórki pamięci o adresie 5000H jest następująca:
Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 1 0 0 1   0 0 1 1 0 0 0 1
7 9   3 1

to po wykonaniu instrukcji RRD zawartość Akumulatora oraz komórki jest następująca:

Akumulator   Komórka o adresie 5000H
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0   b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
0 1 1 1 0 0 0 1   1 0 0 1 0 0 1 1
7 1   9 3

 

 

   I Liceum Ogólnokształcące   
im. Kazimierza Brodzińskiego
w Tarnowie
©2018 mgr Jerzy Wałaszek
Dokument ten rozpowszechniany jest zgodnie z zasadami licencji
GNU Free Documentation License.

Pytania proszę przesyłać na adres email: i-lo@eduinf.waw.pl

W artykułach serwisu są używane cookies. Jeśli nie chcesz ich otrzymywać,
zablokuj je w swojej przeglądarce.
Informacje dodatkowe