Serwis Edukacyjny
w I-LO w Tarnowie
Do strony głównej I LO w Tarnowie

Materiały dla uczniów liceum
 

  Wyjście       Spis treści       Wstecz       Dalej  

obrazek

Autor artykułu: mgr Jerzy Wałaszek

©2019 mgr Jerzy Wałaszek
I LO w Tarnowie

74371 – 2048-bitowa pamięć ROM (256 x 8b) z wyjściami trójstanowymi

74371

Oznaczenie graficzne pamięci ROM typu 74371

obrazek

Opis

Układ 74371 zawiera pamięć ROM (ang. Read Only Memory) o organizacji 256 x 8 bitów. Zawartość pamięci ROM jest ustalana na etapie produkcji. Z tego powodu wykorzystanie tych pamięci w warunkach amatorskich jest problematyczne – producenci mogą zamawiać pamięci o określonej zawartości, co jest opłacalne przy produkcji wielkoseryjnej. Amatorzy zwykle korzystają z pamięci PROM (ang. Programable Read Only Memory) lub EPROM (ang. Erasable Programmable Read Only Memory). Pamięci PROM i EPROM można samodzielnie programować w odpowiednich programatorach. Pamięć PROM po zaprogramowaniu nie może już być zmieniana, ponieważ programowanie polega na trwałym przepaleniu wewnętrznych ścieżek. Pamięć EPROM da się wykasować, np. za pomocą lampy UV, po czym można ją ponownie zaprogramować.

Pamięć posiada 8 wyjść danych: DO1...DO8, 8 wejść adresowych: ADA...ADH oraz dwa wejścia wybierające CS1 i CS2. Wszystkie wyjścia danych są trójstanowe, dzięki czemu możemy łatwo łączyć ze sobą wyjścia z innych pamięci. Wyjście trójstanowe może znajdować się w trzech różnych stanach:

0 – stan logiczny niski
1 – stan logiczny wysoki
X – stan wysokiej impedancji.

W stanie wysokiej impedancji wyjście jest praktycznie odłączone i pobiera tylko mały prąd (ok. 50 µA). Wyjścia trójstanowe można łączyć ze sobą, jednakże w danej chwili tylko jedno z nich powinno przyjmować stany logiczne, pozostałe wyjścia powinny być w stanie wysokiej impedancji.

Układ pamięci uaktywnia się przy obu sygnałach CS1 i CS2 równych 0. Dane wyjściowe pojawiają się po podaniu adresu na wejścia adresowe, gdy układ jest aktywny. Adres komórki jest liczbą binarną w naturalnym kodzie dwójkowym. Gdy jeden z sygnałów CS1 i CS2 ma poziom logiczny 1, wyjścia pamięci znajdują się w stanie wysokiej impedancji.

Struktura wewnętrzna pamięci 74371 jest następująca:

obrazek

Obudowa DIL-20

obrazek

Wybrane parametry elektryczne

  Opis parametru 54S371 743271 Jednostka
VCC Napięcie zasilania 4,5...5,5 4,75...5,25 V
VIH Napięcie wejściowe dla stanu 1 2 2 V
VIL Napięcie wejściowe dla stanu 0 0,8 0,8 V
VOH Napięcie wyjściowe dla stanu 1 2,4 2,4 V
VOL Napięcie wyjściowe dla stanu 0 0,5 0,5 V
IIH Prąd wejściowy w stanie 1 25 25 µA
IIL Prąd wejściowy w stanie 0 -0,25 -0,25 mA
IOH Prąd wyjściowy w stanie 1 -2 -6,5 mA
IOL Prąd wyjściowy w stanie 0 16 16 mA
IOZH Prąd wyjściowy w stanie wysokiej impedancji
przy przyłożonym napięciu poziomu 1
50 50 µA
IOZL Prąd wyjściowy w stanie wysokiej impedancji
przy przyłożonym napięciu poziomu 0
-50 -50 µA
ICC Prąd zasilania 105...155 105...155 mA
TA Zakres temperatur pracy -55...125 0...70 °C
ta(CS) Czas uaktywnienia układu 15...45 15...30 ns
ta(ad) Czas dostępu do danych 45...95 45...70 ns
tPXZ Czas wejścia w stan wysokiej impedancji 10...40 10...25 ns
Na początek:  podrozdziału   strony 

Zespół Przedmiotowy
Chemii-Fizyki-Informatyki

w I Liceum Ogólnokształcącym
im. Kazimierza Brodzińskiego
w Tarnowie
ul. Piłsudskiego 4
©2019 mgr Jerzy Wałaszek

Materiały tylko do użytku dydaktycznego. Ich kopiowanie i powielanie jest dozwolone
pod warunkiem podania źródła oraz niepobierania za to pieniędzy.

Pytania proszę przesyłać na adres email: i-lo@eduinf.waw.pl

Serwis wykorzystuje pliki cookies. Jeśli nie chcesz ich otrzymywać, zablokuj je w swojej przeglądarce.
Informacje dodatkowe.