Serwis Edukacyjny
w I-LO w Tarnowie
Do strony głównej I LO w Tarnowie

Materiały dla uczniów liceum
 

  Wyjście       Spis treści       Wstecz       Dalej  

obrazek

Autor artykułu: mgr Jerzy Wałaszek

©2019 mgr Jerzy Wałaszek
I LO w Tarnowie

74209 – pamięć 1024-bitowa RAM (1024 x 1b) z wyjściem trójstanowym

74209

Oznaczenie graficzne pamięci typu 74209

obrazek

Opis pamięci 74209

Układ 74209 zawiera szybką pamięć RAM zorganizowaną w 1024 bity (ang. 1024 x 1Bit RAM). Wyjście pamięci jest trójstanowe. Takie rozwiązanie pozwala łączyć pamięci 74209 w większe bloki.

Znaczenie wejść/wyjść układu jest następujące:

D wejście danych
A0...A9 wejścia adresowe
CS uaktywnienie wyjście. W stanie wysokim wyjście znajduje się w stanie wysokiej impedancji.
WE stan niski powoduje zapis do pamięci danej z wejścia D pod adres ustawiony na wejściach A0...A9.
Q wyjście

Procedura zapisu bitu do pamięci jest następująca:

  1. Umieść adres na liniach A0...A9.
  2. Na wejście D podaj bit do zapisu.
  3. Wprowadź wejście WE w stan niski na co najmniej 50 ns.

Procedura odczytu bitu z pamięci jest następująca:

  1. Na wejściu WE umieść stan wysoki 1 (to normalny stan tego wejścia).
  2. Ustaw wejście CS w stan niski, aby uaktywnić wyjście Q.
  3. Umieść adres na liniach A0...A9.
  4. Odczekaj co najmniej 50 ns.
  5. Odczytaj dane z wyjścia Q.

Obudowa DIL-16

obrazek

Wybrane parametry elektryczne

Brak danych

Na początek:  podrozdziału   strony 

Zespół Przedmiotowy
Chemii-Fizyki-Informatyki

w I Liceum Ogólnokształcącym
im. Kazimierza Brodzińskiego
w Tarnowie
ul. Piłsudskiego 4
©2019 mgr Jerzy Wałaszek

Materiały tylko do użytku dydaktycznego. Ich kopiowanie i powielanie jest dozwolone
pod warunkiem podania źródła oraz niepobierania za to pieniędzy.

Pytania proszę przesyłać na adres email: i-lo@eduinf.waw.pl

Serwis wykorzystuje pliki cookies. Jeśli nie chcesz ich otrzymywać, zablokuj je w swojej przeglądarce.
Informacje dodatkowe.