74207 – pamięć 1024-bitowa RAM (256 x 4b) z wyjściami trójstanowymi

Oznaczenie graficzne pamięci typu 74207

Opis pamięci 74207

Układ 74207 zawiera szybką pamięć RAM zorganizowaną w 256 słów 4-bitowych (ang. 256 x 4Bit RAM). Wyjście pamięci jest trójstanowe i wspólne z wejściem. Takie rozwiązanie pozwala łączyć pamięci 74207 w większe bloki.

Znaczenie wejść/wyjść układu jest następujące:

A0...A7	–	wejścia adresowe
OE	–	uaktywnienie wyjść. W stanie niskim wyjścia znajdują się w stanie wysokiej impedancji i mogą pełnić rolę wejść
WE	–	stan niski powoduje zapis do pamięci danych z wejść QD0...QD3 pod adres ustawiony na wejściach A0...A7.
QD0...QD3	–	wyjścia trójstanowe oraz wejścia danych

Procedura zapisu 4 bitów do pamięci jest następująca:

1. Ustaw wejście OE w stan niski, aby zablokować wyjścia QD.
2. Umieść adres na liniach A0...A7.
3. Na wejścia QD0...QD3 podaj 4 bity do zapisu.
4. Wprowadź wejście WE w stan niski na co najmniej 50 ns.

Procedura odczytu 4 bitów z pamięci jest następująca:

1. Na wejściu WE umieść stan wysoki 1 (to normalny stan tego wejścia).
2. Ustaw wejście OE w stan wysoki, aby uaktywnić wyjścia QD.
3. Umieść adres na liniach A0...A7.
4. Odczekaj co najmniej 50 ns.
5. Odczytaj dane z wyjść QD.

Wybrane parametry elektryczne

Brak danych (patrz 74201)