Technologia bramki krzemowej


 

Tranzystor MOS w układzie scalonym

Technologia Bramki Krzemowej była pierwszą na świecie, handlową technologią procesu samocentrujących się bramek MOS. Przed tą technologią bramka sterująca tranzystora MOS była wykonywana z aluminium zamiast z polikrystalicznego krzemu. Tranzystory MOS z bramką aluminiową były od trzech do czterech razy wolniejsze, zajmowały dwa razy większy obszar krzemu, posiadały większy prąd upływu i mniejszą niezawodność w porównaniu z tranzystorami o bramce krzemowej. Faggin stworzył technologię bramki krzemowej w 1968 roku w czasie pracy w Laboratoriach R&D firmy Fairchild Semiconductor w Palo Alto w Kalifornii. Zaprojektował również i wykonał pierwszy handlowy układ scalony wykorzystujący technologię bramki krzemowej: Fairchild 3708 - 8 bitowy, analogowy multiplekser z logiką dekodującą. Pierwsze układy 3708 zostały wyprodukowane w lipcu 1968 roku i zademonstrowały istotnie zwiększoną wydajność w porównaniu ze swoimi odpowiednikami o bramce metalowej (z oznaczeniem 3705), a stały się dostępne w handlu w listopadzie 1968.

W roku 1968 prawie wszystkie sprzedawane układy scalone wykorzystywały tranzystory bipolarne, które były około 100 razy szybsze od tranzystorów MOS, lecz pobierały dużo więcej energii, wymagały więcej miejsca na płytce krzemowej i wymagały bardziej skomplikowanego i kosztowniejszego procesu wykonywania. Przez większość praktyków w owych czasach technologia MOS była uważana za obiecującą lecz jeszcze nie odpowiednią z małą szansą wyparcia technologii bipolarnej. Jednakże z pojawieniem się technologii bramki krzemowej technologia MOS w mniej niż 10 lat zastąpiła technologię bipolarną w konstrukcji złożonych układów scalonych.

W czasie pracy w firmie Intel Faggin popierał wykorzystywanie procesu produkcyjnego o nazwie "depletion load", a w  1974 nadzorował prace Richarda Pashley'a, nowo zatrudnionego w firmie Intel, nad projektem pierwszej 1024 bitowej, statycznej pamięci RAM o czasie dostępu poniżej 100 nanosekund, co przeniosło wydajność układów pamięciowym MOS w pobliże szybkości bipolarnych pamięci RAM. Był to początek końca technologii bipolarnej, która przeniosła się od tego czasu tylko na rynek szybkich, statycznych pamięci RAM. W ciągu kilku następnych lat większość sprzedawanych układów scalonych wykonana była przy użyciu technologii bramki krzemowej.



List do administratora Serwisu Edukacyjnego Nauczycieli I LO

Twój email: (jeśli chcesz otrzymać odpowiedź)
Temat:
Uwaga: ← tutaj wpisz wyraz  ilo , inaczej list zostanie zignorowany

Poniżej wpisz swoje uwagi lub pytania dotyczące tego rozdziału (max. 2048 znaków).

Liczba znaków do wykorzystania: 2048

 

W związku z dużą liczbą listów do naszego serwisu edukacyjnego nie będziemy udzielać odpowiedzi na prośby rozwiązywania zadań, pisania programów zaliczeniowych, przesyłania materiałów czy też tłumaczenia zagadnień szeroko opisywanych w podręcznikach.



   I Liceum Ogólnokształcące   
im. Kazimierza Brodzińskiego
w Tarnowie

©2018 mgr Jerzy Wałaszek

Dokument ten rozpowszechniany jest zgodnie z zasadami licencji
GNU Free Documentation License.